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太赫兹量子级联激光装置
其他题名太赫兹量子级联激光装置
角野努; 斋藤真司; 山根统
2018-03-13
专利权人株式会社东芝
公开日期2018-03-13
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供能够作为两个红外线的差频而发出太赫兹波的量子级联激光装置。太赫兹量子级联激光装置具有基板、半导体层叠体以及第一电极。半导体层叠体具有能够通过次能带间光学跃迁而发出红外线激光且设置在基板上的活性层、以及设置在活性层之上的第一包层,半导体层叠体设置有脊形波导路。在第一包层的上表面设置有沿着脊形波导路的延伸方向分离地设置的第一分布反馈区域以及第二分布反馈区域。第一电极设置在第一包层的上表面。第一分布反馈区域的平面尺寸小于第二分布反馈区域的平面尺寸。
其他摘要本发明提供能够作为两个红外线的差频而发出太赫兹波的量子级联激光装置。太赫兹量子级联激光装置具有基板、半导体层叠体以及第一电极。半导体层叠体具有能够通过次能带间光学跃迁而发出红外线激光且设置在基板上的活性层、以及设置在活性层之上的第一包层,半导体层叠体设置有脊形波导路。在第一包层的上表面设置有沿着脊形波导路的延伸方向分离地设置的第一分布反馈区域以及第二分布反馈区域。第一电极设置在第一包层的上表面。第一分布反馈区域的平面尺寸小于第二分布反馈区域的平面尺寸。
申请日期2017-09-01
专利号CN107800040A
专利状态申请中
申请号CN201710777263.7
公开(公告)号CN107800040A
IPC 分类号H01S5/12
专利代理人庞乃媛
代理机构永新专利商标代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92176
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社东芝
推荐引用方式
GB/T 7714
角野努,斋藤真司,山根统. 太赫兹量子级联激光装置. CN107800040A[P]. 2018-03-13.
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