Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN波导激光器及制备方法 | |
| 其他题名 | 一种集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN波导激光器及制备方法 |
| 王永进; 秦川; 倪曙煜 | |
| 2018-03-06 | |
| 专利权人 | 南京邮电大学 |
| 公开日期 | 2018-03-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供了一种集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN基波导激光器及其制作方法，属于信息材料与器件领域。通过曝光技术和氮化物刻蚀工艺，在顶层氮化物器件层形成波导和量子阱二极管的集成。利用聚焦离子束刻蚀技术，在波导上加工谐振光栅微腔，形成微腔结构，获得集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN基波导激光器，可以改变谐振光栅微腔的结构参数或集成不同谐振光栅微腔，调控微腔结构，实现波长可调的硅衬底GaN基波导激光器。本发明提出的激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。 |
| 其他摘要 | 本发明提供了一种集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN基波导激光器及其制作方法，属于信息材料与器件领域。通过曝光技术和氮化物刻蚀工艺，在顶层氮化物器件层形成波导和量子阱二极管的集成。利用聚焦离子束刻蚀技术，在波导上加工谐振光栅微腔，形成微腔结构，获得集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN基波导激光器，可以改变谐振光栅微腔的结构参数或集成不同谐振光栅微腔，调控微腔结构，实现波长可调的硅衬底GaN基波导激光器。本发明提出的激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。 |
| 申请日期 | 2017-10-23 |
| 专利号 | CN107768976A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201710998802.X |
| 公开（公告）号 | CN107768976A |
| IPC 分类号 | H01S5/04 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 武政 |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92172 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京邮电大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永进,秦川,倪曙煜. 一种集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN波导激光器及制备方法. CN107768976A[P]. 2018-03-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN107768976A.PDF（175KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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