基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法

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	基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法
其他题名	基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法
	冯朋; 肖希; 王磊; 李淼峰; 杨奇; 余少华
	2018-01-26
专利权人	武汉邮电科学研究院
公开日期	2018-01-26
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法，涉及硅与非硅材料的异质集成领域。该方法包括：在非硅衬底上通过外延，光刻，刻蚀等工艺制作出共面电极非硅芯片；然后在非硅芯片的晶圆正面注入热固性聚合物溶剂并固化，通过选择性腐蚀工艺去掉衬底与缓冲层，并通过光刻溅射等工艺形成键合金属层；利用集成了非硅芯片台面与对版标记的版图通过CMOS工艺在SOI晶圆的顶层硅上制作出硅基器件结构与键合金属层；利用集成非硅芯片与硅基芯片的版图完成对准贴合，并通过真空键合完成非硅芯片在硅基芯片上异质集成。本发明操作简单，工艺兼容性好，制作成本低，集成度高，可用于硅基平台上非硅材料功能器件的有效集成。
其他摘要	本发明公开了一种基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法，涉及硅与非硅材料的异质集成领域。该方法包括：在非硅衬底上通过外延，光刻，刻蚀等工艺制作出共面电极非硅芯片；然后在非硅芯片的晶圆正面注入热固性聚合物溶剂并固化，通过选择性腐蚀工艺去掉衬底与缓冲层，并通过光刻溅射等工艺形成键合金属层；利用集成了非硅芯片台面与对版标记的版图通过CMOS工艺在SOI晶圆的顶层硅上制作出硅基器件结构与键合金属层；利用集成非硅芯片与硅基芯片的版图完成对准贴合，并通过真空键合完成非硅芯片在硅基芯片上异质集成。本发明操作简单，工艺兼容性好，制作成本低，集成度高，可用于硅基平台上非硅材料功能器件的有效集成。
申请日期	2017-09-12
专利号	CN107634033A
专利状态	授权
申请号	CN201710818655
公开（公告）号	CN107634033A
IPC 分类号	H01L21/84 \| H01S5/32
专利代理人	张雯俐
代理机构	武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92155
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉邮电科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	冯朋,肖希,王磊,等. 基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法. CN107634033A[P]. 2018-01-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107634033A.PDF（1552KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文