半导体元件的制造方法、半导体元件

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	半导体元件的制造方法、半导体元件
其他题名	半导体元件的制造方法、半导体元件
	土屋裕彰; 山口晴央; 中井荣治
	2017-12-29
专利权人	三菱电机株式会社
公开日期	2017-12-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明的目的在于，提供能够无不良影响地抑制n连接的半导体元件的制造方法和通过该方法制造的半导体元件。具备下述工序：台面部形成工序，形成台面部，该台面部在衬底的上方具有p型层、该p型层的上方的有源层及该有源层的上方的n型层；电流限制部形成工序，形成电流限制部，该电流限制部在该台面部的左右具有p型电流阻挡层、该p型电流阻挡层的上方的n型电流阻挡层及该n型电流阻挡层的上方的i型或p型的电流阻挡层；以及p型化工序，对该i型或p型的电流阻挡层、该n型电流阻挡层的上侧的部分及该n型层的左右的部分进行p型杂质的气相扩散或固相扩散，使该n型电流阻挡层的上侧的部分和该n型层的左右的部分成为p型半导体。
其他摘要	本发明的目的在于，提供能够无不良影响地抑制n连接的半导体元件的制造方法和通过该方法制造的半导体元件。具备下述工序：台面部形成工序，形成台面部，该台面部在衬底的上方具有p型层、该p型层的上方的有源层及该有源层的上方的n型层；电流限制部形成工序，形成电流限制部，该电流限制部在该台面部的左右具有p型电流阻挡层、该p型电流阻挡层的上方的n型电流阻挡层及该n型电流阻挡层的上方的i型或p型的电流阻挡层；以及p型化工序，对该i型或p型的电流阻挡层、该n型电流阻挡层的上侧的部分及该n型层的左右的部分进行p型杂质的气相扩散或固相扩散，使该n型电流阻挡层的上侧的部分和该n型层的左右的部分成为p型半导体。
申请日期	2017-06-16
专利号	CN107528215A
专利状态	授权
申请号	CN201710457276.6
公开（公告）号	CN107528215A
IPC 分类号	H01S5/323
专利代理人	何立波 \| 张天舒
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92132
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱电机株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	土屋裕彰,山口晴央,中井荣治. 半导体元件的制造方法、半导体元件. CN107528215A[P]. 2017-12-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107528215A.PDF（192KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文