Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种半导体元件的生产方法 | |
| 其他题名 | 一种半导体元件的生产方法 |
| 厚井大明 | |
| 1999-04-07 | |
| 专利权人 | 日本电气株式会社 |
| 公开日期 | 1999-04-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 当通过MOVPE工艺在带有皱型光栅的InP基片上依次淀积上波导层的晶体层、隔离层、MQW层时,所采用的基片加热曲线使得基片温度在短时间内达到生长温度(如2分钟),此后的温度漂移稳定在±5℃之内。在铟元素开始发生质量转移前,开始生长InGaAsP波导层。 |
| 其他摘要 | 当通过MOVPE工艺在带有皱型光栅的InP基片上依次淀积上波导层的晶体层、隔离层、MQW层时,所采用的基片加热曲线使得基片温度在短时间内达到生长温度(如2分钟),此后的温度漂移稳定在±5℃之内。在铟元素开始发生质量转移前,开始生长InGaAsP波导层。 |
| 申请日期 | 1998-09-22 |
| 专利号 | CN1213196A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN98119869 |
| 公开（公告）号 | CN1213196A |
| IPC 分类号 | H01L21/205 | H01S5/00 | H01S5/12 | H01S5/343 | H01S3/05 | H01S3/085 |
| 专利代理人 | 朱进桂 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92113 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本电气株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 厚井大明. 一种半导体元件的生产方法. CN1213196A[P]. 1999-04-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1213196A.PDF（364KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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