多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构

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	多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构
其他题名	多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构
	倪海桥; 丁颖; 李密锋; 喻颖; 査国伟; 牛智川
	2012-12-19
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2012-12-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，包括：一衬底；一N型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在衬底上；一多周期下量子点层，其制作在N型掺杂的光学兼载流子限制层上；一隧道结中的P型重掺杂层，其生长在多周期下量子点层上；一隧道结中的N型重掺杂层，其生长在隧道结中的P型重掺杂层上；一多周期上量子点层，其制作在隧道结中的N型重掺杂层上；一P型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在多周期上量子点层上。本发明提供的用于宽谱光放大的多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，可以很好的解决量子点层数受限制的问题。
其他摘要	一种多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，包括：一衬底；一N型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在衬底上；一多周期下量子点层，其制作在N型掺杂的光学兼载流子限制层上；一隧道结中的P型重掺杂层，其生长在多周期下量子点层上；一隧道结中的N型重掺杂层，其生长在隧道结中的P型重掺杂层上；一多周期上量子点层，其制作在隧道结中的N型重掺杂层上；一P型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在多周期上量子点层上。本发明提供的用于宽谱光放大的多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，可以很好的解决量子点层数受限制的问题。
申请日期	2012-09-10
专利号	CN102832538A
专利状态	失效
申请号	CN201210333043.2
公开（公告）号	CN102832538A
IPC 分类号	H01S5/30
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92112
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	倪海桥,丁颖,李密锋,等. 多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构. CN102832538A[P]. 2012-12-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102832538A.PDF（327KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文