Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 鄰近於半導體雷射鏡面之Ｐ型隔離區 | |
| 其他题名 | 鄰近於半導體雷射鏡面之Ｐ型隔離區 |
| 卡紐凱薩琳吉納維芙; 謝峰; 石鍾恩 | |
| 2012-11-16 | |
| 专利权人 | 康寧公司 |
| 公开日期 | 2012-11-16 |
| 授权国家 | 中国台湾 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 茲提供量子級聯雷射和製造量子級聯雷射的方法。量子級聯雷射包含一或更多p型電隔離區和複數個電隔離雷射段,該複數個電隔離雷射段沿著雷射波導軸延伸。主動波導核心夾設在上與下n型披覆層之間,主動核心與上、下n型披覆層延伸穿過量子級聯雷射的電隔離雷射段。一部分的上n型披覆層包含足夠的p型摻質而成為p型及變成電隔離區,p型電隔離區沿著凸出物延伸橫越上n型披覆層的至少部分厚度,該凸出物分離量子級聯雷射段。本文亦包含雷射結構,其中只於雷射的窗口鏡面段提供隔離區,以在鏡面段提供垂直隔離、減少電流進入雷射的鏡面區及協助降低潛在有害鏡面加熱。 |
| 其他摘要 | 茲提供量子級聯雷射和製造量子級聯雷射的方法。量子級聯雷射包含一或更多p型電隔離區和複數個電隔離雷射段,該複數個電隔離雷射段沿著雷射波導軸延伸。主動波導核心夾設在上與下n型披覆層之間,主動核心與上、下n型披覆層延伸穿過量子級聯雷射的電隔離雷射段。一部分的上n型披覆層包含足夠的p型摻質而成為p型及變成電隔離區,p型電隔離區沿著凸出物延伸橫越上n型披覆層的至少部分厚度,該凸出物分離量子級聯雷射段。本文亦包含雷射結構,其中只於雷射的窗口鏡面段提供隔離區,以在鏡面段提供垂直隔離、減少電流進入雷射的鏡面區及協助降低潛在有害鏡面加熱。 |
| 申请日期 | 2012-03-16 |
| 专利号 | TW201246738A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | TW101109149 |
| 公开（公告）号 | TW201246738A |
| IPC 分类号 | H01S5/34 |
| 专利代理人 | 蔡坤財 | 李世章 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92062 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 康寧公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卡紐凱薩琳吉納維芙,謝峰,石鍾恩. 鄰近於半導體雷射鏡面之Ｐ型隔離區. TW201246738A[P]. 2012-11-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| TW201246738A.PDF（1414KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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