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掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法
其他题名掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法
吴艳华; 王飞飞; 胡发杰; 金鹏; 王占国
2015-03-25
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2015-03-25
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供了一种掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法。该掩模板包括:第一条形图案;以及辅助对准窗口,为与所述第一条形图案垂直的条形图案;其中,所述第一条形图案与辅助对准窗口均为透明图案,在曝光之前,通过所述辅助对准窗口可观察所述第一条形图案与下方半导体基体上的第二条形图案的对准情况。本发明能够借助辅助对准窗口观察第一条形图案是否与下方半导体基体上的第二条形图案对准,方便了两者位置的修正,从而达到提高对版精度和研发效率。
其他摘要本发明提供了一种掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法。该掩模板包括:第一条形图案;以及辅助对准窗口,为与所述第一条形图案垂直的条形图案;其中,所述第一条形图案与辅助对准窗口均为透明图案,在曝光之前,通过所述辅助对准窗口可观察所述第一条形图案与下方半导体基体上的第二条形图案的对准情况。本发明能够借助辅助对准窗口观察第一条形图案是否与下方半导体基体上的第二条形图案对准,方便了两者位置的修正,从而达到提高对版精度和研发效率。
申请日期2014-12-23
专利号CN104460223A
专利状态失效
申请号CN201410815582.9
公开(公告)号CN104460223A
IPC 分类号G03F1/42 | G03F9/00 | H01S5/22
专利代理人曹玲柱
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92057
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
吴艳华,王飞飞,胡发杰,等. 掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法. CN104460223A[P]. 2015-03-25.
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