一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法

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	一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法
其他题名	一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法
	苏建; 朱振; 李沛旭; 于果蕾; 徐现刚
	2015-11-18
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2015-11-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法，包括：在激光器芯片的N面电极制备孔；将处理后的激光器芯片放置在金属板上，所述激光器芯片的含孔一面与所述金属板背离设置；采用808nm波长的激光对所述激光器芯片进行照射；将处理后的激光器芯片进行烘烤，温度范围120-150℃，烘烤1-2小时；对激光器芯片封装测试，完成制备。本发明所述消除波长双峰的808nm激光器，其结构简易，制作过程简单，通过在所述激光器芯片的N面电极上制备孔、后续采用激光照射和烘烤处理，进而减小激光器芯片受内部压应力影响，使激光器波长双峰减少，大大提高了激光器生产合格率。
其他摘要	本发明涉及一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法，包括：在激光器芯片的N面电极制备孔；将处理后的激光器芯片放置在金属板上，所述激光器芯片的含孔一面与所述金属板背离设置；采用808nm波长的激光对所述激光器芯片进行照射；将处理后的激光器芯片进行烘烤，温度范围120-150℃，烘烤1-2小时；对激光器芯片封装测试，完成制备。本发明所述消除波长双峰的808nm激光器，其结构简易，制作过程简单，通过在所述激光器芯片的N面电极上制备孔、后续采用激光照射和烘烤处理，进而减小激光器芯片受内部压应力影响，使激光器波长双峰减少，大大提高了激光器生产合格率。
申请日期	2015-08-28
专利号	CN105071220A
专利状态	授权
申请号	CN201510540308.X
公开（公告）号	CN105071220A
IPC 分类号	H01S5/068 \| H01S5/022
专利代理人	吕利敏
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92048
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	苏建,朱振,李沛旭,等. 一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法. CN105071220A[P]. 2015-11-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105071220A.PDF（435KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文