Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 磷化铟基光电子器件中楔形腔和平行腔结构实现方法 | |
| 其他题名 | 磷化铟基光电子器件中楔形腔和平行腔结构实现方法 |
| 任晓敏; 王兴妍; 黄辉; 王琦; 黄永清 | |
| 2004-09-22 | |
| 专利权人 | 北京邮电大学 |
| 公开日期 | 2004-09-22 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及一种InP(磷化铟)基光电子器件，特别涉及此器件中的楔形腔和平行腔的实现方法。本发明特征在于利用选择性腐蚀在InP基半导体外延层上实现具有特定倾角的楔形结构，以及实现基于空气隙的平行腔结构。其中楔形结构的倾角可以通过选择不同的腐蚀液的组分比例来调节。本发明涉及的方法具有与半导体集成工艺兼容的特点，势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种InP(磷化铟)基光电子器件，特别涉及此器件中的楔形腔和平行腔的实现方法。本发明特征在于利用选择性腐蚀在InP基半导体外延层上实现具有特定倾角的楔形结构，以及实现基于空气隙的平行腔结构。其中楔形结构的倾角可以通过选择不同的腐蚀液的组分比例来调节。本发明涉及的方法具有与半导体集成工艺兼容的特点，势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。 |
| 申请日期 | 2003-03-17 |
| 专利号 | CN1531155A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03120468.6 |
| 公开（公告）号 | CN1531155A |
| IPC 分类号 | C23F1/16 | H01L21/306 | H01L31/18 | H01L33/00 | H01S5/10 |
| 专利代理人 | 周长兴 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92043 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京邮电大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任晓敏,王兴妍,黄辉,等. 磷化铟基光电子器件中楔形腔和平行腔结构实现方法. CN1531155A[P]. 2004-09-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1531155A.PDF（385KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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