Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法 | |
| 其他题名 | Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法 |
| 舒斌; 吴继宝; 古牧; 范林西; 陈景明; 张鹤鸣; 宣荣喜; 胡辉勇; 宋建军; 王斌 | |
| 2016-03-23 | |
| 专利权人 | 西安电子科技大学 |
| 公开日期 | 2016-03-23 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法，该激光器从下往上依次包括硅衬底、Si0.5Ge0.5缓冲层、硅锗超晶格和SiO2，在硅锗超晶格顶部和Si0.5Ge0.5缓冲层上沉积铝电极，Si0.5Ge0.5缓冲层的厚度为300nm，所述Si0.5Ge0.5缓冲层为5nm的硅和5nm的锗交互生长形成硅锗超晶格结构，所述的Si0.5Ge0.5缓冲层的硅锗比例为1∶1。本发明既能够兼容CMOS工艺，又能够实现锗光源对不同波长光的需求，且具有较高的光电转换效率，光稳定性，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法，该激光器从下往上依次包括硅衬底、Si0.5Ge0.5缓冲层、硅锗超晶格和SiO2，在硅锗超晶格顶部和Si0.5Ge0.5缓冲层上沉积铝电极，Si0.5Ge0.5缓冲层的厚度为300nm，所述Si0.5Ge0.5缓冲层为5nm的硅和5nm的锗交互生长形成硅锗超晶格结构，所述的Si0.5Ge0.5缓冲层的硅锗比例为1∶1。本发明既能够兼容CMOS工艺，又能够实现锗光源对不同波长光的需求，且具有较高的光电转换效率，光稳定性，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。 |
| 申请日期 | 2015-10-27 |
| 专利号 | CN105429001A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201510726305.5 |
| 公开（公告）号 | CN105429001A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S5/34 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92036 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安电子科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 舒斌,吴继宝,古牧,等. Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法. CN105429001A[P]. 2016-03-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105429001A.PDF（256KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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