双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法

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	双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法
其他题名	双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法
	姚丹阳; 张锦川; 闫方亮; 刘俊岐; 王利军; 刘峰奇; 王占国
	2013-05-08
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2013-05-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种采用双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层，获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片；步骤2：对外延芯片进行清洗；步骤3：在外延芯片表面均匀涂光刻胶；步骤4：采用全息曝光的方法，对光刻胶进行相应剂量和不同台面夹角的两次曝光；步骤5：对曝光处理后的外延芯片进行显影定形，得到光刻胶光栅图形；步骤6：将外延芯片进行坚膜处理，然后利用等离子去胶机去除残留的光刻胶；步骤7：以光刻胶光栅图形为掩膜腐蚀外延芯片，将光栅图形转移至光限制层上；步骤8：利用有机溶剂清洗掉光刻胶光栅图形，制备出双周期光栅，完成制备。
其他摘要	一种采用双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层，获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片；步骤2：对外延芯片进行清洗；步骤3：在外延芯片表面均匀涂光刻胶；步骤4：采用全息曝光的方法，对光刻胶进行相应剂量和不同台面夹角的两次曝光；步骤5：对曝光处理后的外延芯片进行显影定形，得到光刻胶光栅图形；步骤6：将外延芯片进行坚膜处理，然后利用等离子去胶机去除残留的光刻胶；步骤7：以光刻胶光栅图形为掩膜腐蚀外延芯片，将光栅图形转移至光限制层上；步骤8：利用有机溶剂清洗掉光刻胶光栅图形，制备出双周期光栅，完成制备。
申请日期	2013-01-25
专利号	CN103091778A
专利状态	授权
申请号	CN201310028764.7
公开（公告）号	CN103091778A
IPC 分类号	G02B6/13 \| G03F7/00 \| G03F7/20 \| H01S5/12
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92032
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	姚丹阳,张锦川,闫方亮,等. 双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法. CN103091778A[P]. 2013-05-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103091778A.PDF（1010KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文