Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种多量子阱波导对接耦合方法 | |
| 其他题名 | 一种多量子阱波导对接耦合方法 |
| 周志强; 刘建军; 唐琦 | |
| 2012-07-04 | |
| 专利权人 | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
| 公开日期 | 2012-07-04 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及一种多量子阱波导对接耦合方法，包括：A、在衬底上一次外延第一多量子阱结构；B、待淀积介质膜后，进行掩膜光刻，采用三步蚀刻法去掉需进行二次外延的第一区域的波导部分；C、将外延片置入金属有机化学气相淀积设备中进行高温热处理；D、进行二次外延生长第二多量子阱结构。采用该方法具有良好的界面腐蚀形貌，能够避免生长时空洞的产生，可有效提高对接质量，降低耦合损耗，并且重复性好，可用于各种光电子集成芯片的制作及批量生产中。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种多量子阱波导对接耦合方法，包括：A、在衬底上一次外延第一多量子阱结构；B、待淀积介质膜后，进行掩膜光刻，采用三步蚀刻法去掉需进行二次外延的第一区域的波导部分；C、将外延片置入金属有机化学气相淀积设备中进行高温热处理；D、进行二次外延生长第二多量子阱结构。采用该方法具有良好的界面腐蚀形貌，能够避免生长时空洞的产生，可有效提高对接质量，降低耦合损耗，并且重复性好，可用于各种光电子集成芯片的制作及批量生产中。 |
| 申请日期 | 2011-12-31 |
| 专利号 | CN102545047A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201110458024.8 |
| 公开（公告）号 | CN102545047A |
| IPC 分类号 | H01S5/20 | H01S5/34 |
| 专利代理人 | 刘淑敏 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92018 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周志强,刘建军,唐琦. 一种多量子阱波导对接耦合方法. CN102545047A[P]. 2012-07-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102545047A.PDF（552KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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