OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
周期性波导结构半导体光电探测器及制作方法
其他题名周期性波导结构半导体光电探测器及制作方法
成步文
2003-07-02
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2003-07-02
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种具有周期性波导结构的光电探测器,它包括有:导波区,该导波区可对入射光进行吸收和传播,在导波区上制作周期光栅结构;上限制层,该上限制层生长在导波区之上,该上限制层的折射率小于导波区的折射率;下限制层,该下限制层制作在导波区下,该下限制层的折射率小于导波区的折射率;一衬底,上述结构均制作在该衬底上;在衬底及上限制层上分别制作下电极及上电极。
其他摘要一种具有周期性波导结构的光电探测器,它包括有:导波区,该导波区可对入射光进行吸收和传播,在导波区上制作周期光栅结构;上限制层,该上限制层生长在导波区之上,该上限制层的折射率小于导波区的折射率;下限制层,该下限制层制作在导波区下,该下限制层的折射率小于导波区的折射率;一衬底,上述结构均制作在该衬底上;在衬底及上限制层上分别制作下电极及上电极。
申请日期2001-12-20
专利号CN1427486A
专利状态失效
申请号CN01144710.9
公开(公告)号CN1427486A
IPC 分类号G01J1/02 | H01L31/00 | H01S5/00
专利代理人汤保平
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92004
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
成步文. 周期性波导结构半导体光电探测器及制作方法. CN1427486A[P]. 2003-07-02.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN1427486A.PDF(378KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[成步文]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[成步文]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[成步文]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。