Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种多边形-环硅基激光器及其制备方法 | |
| 其他题名 | 一种多边形-环硅基激光器及其制备方法 |
| 隋少帅; 黄永箴; 唐明英; 杨跃德; 肖金龙; 杜云 | |
| 2015-12-09 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2015-12-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种多边形-环硅基激光器，包括：一带有波导结构的SOI片；一键合层，位于所述SOI片之上；一半导体多边形-环谐振腔，位于所述键合层之上；其中，所述键合层用于将半导体多边形-环谐振腔和所述SOI片连接在一起，使得所述半导体多边形-环谐振腔中产生的激光耦合到所述SOI片中的波导结构中输出。以及一种多边形-环硅基激光器的制造方法。本发明的硅基激光器结合了硅基微腔激光器低阈值和硅基FP腔激光器耦合长度长的优点，可以同时实现低阈值和高输出功率。 |
| 其他摘要 | 一种多边形-环硅基激光器，包括：一带有波导结构的SOI片；一键合层，位于所述SOI片之上；一半导体多边形-环谐振腔，位于所述键合层之上；其中，所述键合层用于将半导体多边形-环谐振腔和所述SOI片连接在一起，使得所述半导体多边形-环谐振腔中产生的激光耦合到所述SOI片中的波导结构中输出。以及一种多边形-环硅基激光器的制造方法。本发明的硅基激光器结合了硅基微腔激光器低阈值和硅基FP腔激光器耦合长度长的优点，可以同时实现低阈值和高输出功率。 |
| 申请日期 | 2015-10-15 |
| 专利号 | CN105140778A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201510666203.9 |
| 公开（公告）号 | CN105140778A |
| IPC 分类号 | H01S5/10 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | 宋焰琴 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91983 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 隋少帅,黄永箴,唐明英,等. 一种多边形-环硅基激光器及其制备方法. CN105140778A[P]. 2015-12-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105140778A.PDF（1531KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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