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制作及操作光学调制器的方法
其他题名制作及操作光学调制器的方法
亨利·A·布劳维尔特; 晓光·何; 凯利·沃何拉
2017-08-18
专利权人昂科公司
公开日期2017-08-18
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种半导体装置包括:衬底;整体增益区域,其安置于所述衬底上且可操作以响应于电流注入而产生光学增益,所述整体增益区域包含:第一电极,其位于所述增益区域的第一部分上方、具有第一长度L1,其中施加第一电流I1;及第二电极,其位于所述增益区域的第二部分上方、具有第二长度L2,其中施加第二电流I2;其中I1/L1大于I2/L2。
其他摘要一种半导体装置包括:衬底;整体增益区域,其安置于所述衬底上且可操作以响应于电流注入而产生光学增益,所述整体增益区域包含:第一电极,其位于所述增益区域的第一部分上方、具有第一长度L1,其中施加第一电流I1;及第二电极,其位于所述增益区域的第二部分上方、具有第二长度L2,其中施加第二电流I2;其中I1/L1大于I2/L2。
申请日期2015-09-15
专利号CN107078458A
专利状态申请中
申请号CN201580056314.6
公开(公告)号CN107078458A
IPC 分类号H01S5/026 | H01S5/042
专利代理人萧辅宽
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91979
专题半导体激光器专利数据库
作者单位昂科公司
推荐引用方式
GB/T 7714
亨利·A·布劳维尔特,晓光·何,凯利·沃何拉. 制作及操作光学调制器的方法. CN107078458A[P]. 2017-08-18.
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CN107078458A.PDF(1515KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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