Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种PiNiN结构晶闸管激光器 | |
| 其他题名 | 一种PiNiN结构晶闸管激光器 |
| 王火雷; 丁颖; 王宝军; 边静; 王圩; 潘教青 | |
| 2014-03-19 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2014-03-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种既可以呈现晶闸管电学特性又可以呈现激光器光学特性的PiNiN结构晶闸管激光器，属于半导体光电子领域。本发明的激光器包括依次层叠的N型电极、N型衬底、N型缓冲层、第一N型重掺杂层、第一无掺杂的有源区、第二N型重掺杂层、第二无掺杂的有源区、P型重掺杂层、P型接触层和P型电极。本发明的晶闸管激光器中引入重掺杂N层和重掺杂P层，以及无掺杂的i层，在获得晶闸管电学特性的同时，可以获得高功率和低阈值的激光器光学特性。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种既可以呈现晶闸管电学特性又可以呈现激光器光学特性的PiNiN结构晶闸管激光器，属于半导体光电子领域。本发明的激光器包括依次层叠的N型电极、N型衬底、N型缓冲层、第一N型重掺杂层、第一无掺杂的有源区、第二N型重掺杂层、第二无掺杂的有源区、P型重掺杂层、P型接触层和P型电极。本发明的晶闸管激光器中引入重掺杂N层和重掺杂P层，以及无掺杂的i层，在获得晶闸管电学特性的同时，可以获得高功率和低阈值的激光器光学特性。 |
| 申请日期 | 2013-12-19 |
| 专利号 | CN103647217A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201310706406.7 |
| 公开（公告）号 | CN103647217A |
| IPC 分类号 | H01S5/34 |
| 专利代理人 | 宋焰琴 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91975 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王火雷,丁颖,王宝军,等. 一种PiNiN结构晶闸管激光器. CN103647217A[P]. 2014-03-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103647217A.PDF（352KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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