半导体激光装置

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	半导体激光装置
其他题名	半导体激光装置
	沃尔夫冈·施密德; 马丁·穆勒
	2010-09-22
专利权人	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
公开日期	2010-09-22
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种半导体激光装置，该半导体激光装置具有：光泵浦的表面发射的垂直发射器(1)，该垂直发射器在垂直主辐射方向上发射；以及至少一个单片集成的泵浦辐射源(2)，用于垂直发射器(1)的光泵浦，其中泵浦辐射源在横向于垂直主辐射方向走向的泵浦主辐射方向上发射泵浦辐射。根据第一实施形式，半导体激光装置的特征在于，泵浦辐射源(2)的至少一个垂直区段在横向于泵浦主辐射方向和横向于垂直主辐射方向的横向方向上对于泵浦辐射以折射率引导的方式实施。在第二实施形式中，半导体激光装置的特征在于，泵浦辐射源(2)在至少一个垂直区段中在横向于泵浦主辐射方向的横向方向上具有比在另一垂直区段中更小的宽度。通过这种方式，在合适的设计的情况下实现了，泵浦辐射的模式完全地或者至少部分地在垂直方向上从该区段中被挤压，由此可以有利地减小泵浦辐射在导电层上的吸收损耗。
其他摘要	本发明涉及一种半导体激光装置，该半导体激光装置具有：光泵浦的表面发射的垂直发射器(1)，该垂直发射器在垂直主辐射方向上发射；以及至少一个单片集成的泵浦辐射源(2)，用于垂直发射器(1)的光泵浦，其中泵浦辐射源在横向于垂直主辐射方向走向的泵浦主辐射方向上发射泵浦辐射。根据第一实施形式，半导体激光装置的特征在于，泵浦辐射源(2)的至少一个垂直区段在横向于泵浦主辐射方向和横向于垂直主辐射方向的横向方向上对于泵浦辐射以折射率引导的方式实施。在第二实施形式中，半导体激光装置的特征在于，泵浦辐射源(2)在至少一个垂直区段中在横向于泵浦主辐射方向的横向方向上具有比在另一垂直区段中更小的宽度。通过这种方式，在合适的设计的情况下实现了，泵浦辐射的模式完全地或者至少部分地在垂直方向上从该区段中被挤压，由此可以有利地减小泵浦辐射在导电层上的吸收损耗。
申请日期	2007-02-08
专利号	CN101390263B
专利状态	授权
申请号	CN200780006733.4
公开（公告）号	CN101390263B
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S5/04 \| H01S5/183
专利代理人	王萍 \| 李春晖
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91922
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
推荐引用方式 GB/T 7714	沃尔夫冈·施密德,马丁·穆勒. 半导体激光装置. CN101390263B[P]. 2010-09-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101390263B.PDF（867KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文