Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法 | |
| 其他题名 | 一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法 |
| 吴惠桢; 蔡春锋 | |
| 2012-02-29 | |
| 专利权人 | 浙江大学 |
| 公开日期 | 2012-02-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法，它以CdZnTe或BaF2或GaAs或Si或Ge作为基底，利用分子束外延设备在基底上生长CdTe/PbTe半导体异质结，异质结的发光波长在2～5um中红外波段，基于PbTe和CdTe的极性界面效应可获得强中红外光的发射。它既可直接作为光致中红外发光器件使用，也可作为电致中红外发光器件的有源区材料得到应用，如中红外发光二极管、中红外激光二极管等。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法，它以CdZnTe或BaF2或GaAs或Si或Ge作为基底，利用分子束外延设备在基底上生长CdTe/PbTe半导体异质结，异质结的发光波长在2～5um中红外波段，基于PbTe和CdTe的极性界面效应可获得强中红外光的发射。它既可直接作为光致中红外发光器件使用，也可作为电致中红外发光器件的有源区材料得到应用，如中红外发光二极管、中红外激光二极管等。 |
| 申请日期 | 2011-03-07 |
| 专利号 | CN102364704A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201110053124.2 |
| 公开（公告）号 | CN102364704A |
| IPC 分类号 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 周烽 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91842 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴惠桢,蔡春锋. 一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法. CN102364704A[P]. 2012-02-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102364704A.PDF（305KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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