Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 条形半导体激光芯片及其制造方法 | |
| 其他题名 | 条形半导体激光芯片及其制造方法 |
| 马场靖夫; 松下保彦; 后藤幸夫 | |
| 2010-06-09 | |
| 专利权人 | 三洋电机株式会社 |
| 公开日期 | 2010-06-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种条形半导体激光芯片，可以抑制振荡波长的变化。所述条形半导体激光芯片具有氮化物半导体衬底和半导体层，所述半导体层形成在所述氮化物半导体衬底的主表面上，并且包括多个激光芯片部分。所述多个激光芯片部分在[11-20]方向上形成阵列。氮化物半导体衬底的主表面是在沿着[11-20]方向的方向上具有偏角的(0001)面。氮化物半导体衬底的主表面的中央部分具有在沿着[11-20]方向的方向上偏离(0001)面0.05±0.1度的偏角。 |
| 其他摘要 | 一种条形半导体激光芯片，可以抑制振荡波长的变化。所述条形半导体激光芯片具有氮化物半导体衬底和半导体层，所述半导体层形成在所述氮化物半导体衬底的主表面上，并且包括多个激光芯片部分。所述多个激光芯片部分在[11-20]方向上形成阵列。氮化物半导体衬底的主表面是在沿着[11-20]方向的方向上具有偏角的(0001)面。氮化物半导体衬底的主表面的中央部分具有在沿着[11-20]方向的方向上偏离(0001)面0.05±0.1度的偏角。 |
| 申请日期 | 2009-10-28 |
| 专利号 | CN101728766A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200910208160.4 |
| 公开（公告）号 | CN101728766A |
| IPC 分类号 | H01S5/40 | H01S5/02 |
| 专利代理人 | 陈瑞丰 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91835 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马场靖夫,松下保彦,后藤幸夫. 条形半导体激光芯片及其制造方法. CN101728766A[P]. 2010-06-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101728766A.PDF（558KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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