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一种多发光单元半导体激光器模块及其制备方法
其他题名一种多发光单元半导体激光器模块及其制备方法
刘兴胜; 王晓飚; 杨凯; 郑艳芳
2010-12-01
专利权人西安炬光科技有限公司
公开日期2010-12-01
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种多发光单元半导体激光器模块及其制备方法,包括壳体、光纤跳线输出接口、盖板、正极、负极、半导体激光模块组、PCB电路板板、测控接口。光纤跳线输出接口置于壳体前端,半导体耦合模块组焊接在PCB电路板上后固定于壳体的底板上,测控接口置于壳体侧壁上,盖板固定于壳体上。本发明采用了多发光单元半导体激光器光纤耦合形式,结合了单管和BAR条产品的优点,省去了通常Bar条光束整形系统所需要的光束翻转、切割、重排等过程,采用独特的光纤耦合技术,工艺简单、安装方便使得无论从输出光斑均匀性还是成本等方面都具有很大的优势,本发明主要应用于大功率半导体激光器,可根据所选芯片的不同,生产出多种波长、多种功率的激光器。
其他摘要本发明公开了一种多发光单元半导体激光器模块及其制备方法,包括壳体、光纤跳线输出接口、盖板、正极、负极、半导体激光模块组、PCB电路板板、测控接口。光纤跳线输出接口置于壳体前端,半导体耦合模块组焊接在PCB电路板上后固定于壳体的底板上,测控接口置于壳体侧壁上,盖板固定于壳体上。本发明采用了多发光单元半导体激光器光纤耦合形式,结合了单管和BAR条产品的优点,省去了通常Bar条光束整形系统所需要的光束翻转、切割、重排等过程,采用独特的光纤耦合技术,工艺简单、安装方便使得无论从输出光斑均匀性还是成本等方面都具有很大的优势,本发明主要应用于大功率半导体激光器,可根据所选芯片的不同,生产出多种波长、多种功率的激光器。
申请日期2010-07-28
专利号CN101902017A
专利状态失效
申请号CN201010239421
公开(公告)号CN101902017A
IPC 分类号H01S5/40 | H01S5/022 | H01S5/026 | H01S5/00
专利代理人罗永娟
代理机构西安西交通盛知识产权代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91812
专题半导体激光器专利数据库
作者单位西安炬光科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
刘兴胜,王晓飚,杨凯,等. 一种多发光单元半导体激光器模块及其制备方法. CN101902017A[P]. 2010-12-01.
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