Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器 | |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 中川康幸; 蔵本恭介 | |
| 2009-07-29 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 2009-07-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明得到将镀膜的反射率设定在3～13％的范围内，并防止镀膜剥离，且可确保半导体激光器的可靠性的半导体激光器。在射出激光的前端面形成了镀膜的GaN类的半导体激光器中，镀膜包括与前端面相接的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，对于半导体激光器的激光波长λ，第一绝缘膜和第二绝缘膜的光学膜厚之和为λ/4的奇数倍，第一绝缘膜对GaN的密合性强于第二绝缘膜，第一绝缘膜的折射率为9以下，第二绝缘膜的折射率为2～2.3。 |
| 其他摘要 | 本发明得到将镀膜的反射率设定在3～13％的范围内，并防止镀膜剥离，且可确保半导体激光器的可靠性的半导体激光器。在射出激光的前端面形成了镀膜的GaN类的半导体激光器中，镀膜包括与前端面相接的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，对于半导体激光器的激光波长λ，第一绝缘膜和第二绝缘膜的光学膜厚之和为λ/4的奇数倍，第一绝缘膜对GaN的密合性强于第二绝缘膜，第一绝缘膜的折射率为9以下，第二绝缘膜的折射率为2～2.3。 |
| 申请日期 | 2009-01-22 |
| 专利号 | CN101494358A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200910002480.4 |
| 公开（公告）号 | CN101494358A |
| IPC 分类号 | H01S5/028 |
| 专利代理人 | 何欣亭 | 王丹昕 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91795 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中川康幸,蔵本恭介. 半导体激光器. CN101494358A[P]. 2009-07-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101494358A.PDF（231KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [中川康幸]的文章 |
| [蔵本恭介]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [中川康幸]的文章 |
| [蔵本恭介]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [中川康幸]的文章 |
| [蔵本恭介]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论