专用于光学相干层析术的受激辐射光放大宽带光纤光源

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	专用于光学相干层析术的受激辐射光放大宽带光纤光源
其他题名	专用于光学相干层析术的受激辐射光放大宽带光纤光源
	周大川; 梁艳梅; 孟凡勇; 朱晓农
	2006-04-12
专利权人	南开大学
公开日期	2006-04-12
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种专用于光学相干层析(OCT)成像的宽带光纤光源，特别是能产生单高斯峰光谱的光纤光源的设计和制作，属于光纤传感技术领域。该光源包括：980nm半导体泵浦激光二极管，1480nm半导体泵浦激光二极管，波分复用耦合器(WDM)，光耦合器，铒掺杂光纤，光隔离器和光纤光栅等。其关键技术是在进入不同级的波分复用器前，选择合适分束比的光耦合器，并采用多级长周期光纤光栅对铒离子自发光谱进行调整，使输出的宽带光谱接近单高斯峰光谱；同时采用了光控和温控器来控制激光二极管的输出以提高功率的稳定性。该发明结构简单、成本廉价、操作方便、能在常温下稳定工作。
其他摘要	本发明涉及一种专用于光学相干层析(OCT)成像的宽带光纤光源，特别是能产生单高斯峰光谱的光纤光源的设计和制作，属于光纤传感技术领域。该光源包括：980nm半导体泵浦激光二极管，1480nm半导体泵浦激光二极管，波分复用耦合器(WDM)，光耦合器，铒掺杂光纤，光隔离器和光纤光栅等。其关键技术是在进入不同级的波分复用器前，选择合适分束比的光耦合器，并采用多级长周期光纤光栅对铒离子自发光谱进行调整，使输出的宽带光谱接近单高斯峰光谱；同时采用了光控和温控器来控制激光二极管的输出以提高功率的稳定性。该发明结构简单、成本廉价、操作方便、能在常温下稳定工作。
申请日期	2005-10-27
专利号	CN1758129A
专利状态	失效
申请号	CN200510015704.7
公开（公告）号	CN1758129A
IPC 分类号	G02F1/39 \| G02F1/365 \| G02B6/42
专利代理人	解松凡
代理机构	天津市学苑有限责任专利代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91783
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南开大学
推荐引用方式 GB/T 7714	周大川,梁艳梅,孟凡勇,等. 专用于光学相干层析术的受激辐射光放大宽带光纤光源. CN1758129A[P]. 2006-04-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1758129A.PDF（355KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文