基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器及其制作方法

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	基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器及其制作方法
其他题名	基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器及其制作方法
	佟存柱; 王涛; 汪丽杰; 田思聪; 邢恩博; 戎佳敏; 卢泽丰; 王立军
	2015-03-25
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2015-03-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器及其制作方法，属于光电半导体技术领域，为了解决半导体激光器单元器件不能很好的兼顾高输出功率和高光束质量的缺点，该激光器是在n型衬底上用金属有机化学气相沉积方法依次生长n型缓冲层、n型包层、下波导层、量子阱、上波导层、p型包层和p型盖层，其还包括三个激光器，该三个激光器与一矩形波导相连接，其中，两平行且有一定间距的激光器与矩形波导左侧连接，另一激光器与矩形波导右侧连接；一矩形波导，该矩形波导与三个激光器相互连接；所述的三个激光器和矩形波导均是在p型盖层上向下刻蚀至p型包层形成的；一Y波导二维光子晶体，该光子晶体位于矩形波导上。
其他摘要	基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器及其制作方法，属于光电半导体技术领域，为了解决半导体激光器单元器件不能很好的兼顾高输出功率和高光束质量的缺点，该激光器是在n型衬底上用金属有机化学气相沉积方法依次生长n型缓冲层、n型包层、下波导层、量子阱、上波导层、p型包层和p型盖层，其还包括三个激光器，该三个激光器与一矩形波导相连接，其中，两平行且有一定间距的激光器与矩形波导左侧连接，另一激光器与矩形波导右侧连接；一矩形波导，该矩形波导与三个激光器相互连接；所述的三个激光器和矩形波导均是在p型盖层上向下刻蚀至p型包层形成的；一Y波导二维光子晶体，该光子晶体位于矩形波导上。
申请日期	2014-12-03
专利号	CN104466674A
专利状态	授权
申请号	CN201410734382.0
公开（公告）号	CN104466674A
IPC 分类号	H01S5/20 \| G02B6/13
专利代理人	刘慧宇
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91733
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	佟存柱,王涛,汪丽杰,等. 基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器及其制作方法. CN104466674A[P]. 2015-03-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104466674A.PDF（477KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文