469nm全光纤结构大功率蓝光光纤激光器

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	469nm全光纤结构大功率蓝光光纤激光器
其他题名	469nm全光纤结构大功率蓝光光纤激光器
	冯选旗; 冯晓强; 白晋涛
	2012-10-24
专利权人	西北大学
公开日期	2012-10-24
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种469nm全光纤结构大功率蓝光光纤激光器，包括半导体激光器泵浦源、第一全反射光纤光栅、第二全反射光纤光栅和第三全反射光纤光栅，第一全反射光纤光栅和第二全反射光纤光栅之间连接有双包层掺镱光纤，第二全反射光纤光栅和第三全反射光纤光栅间连接腔内倍频器，第三全反射光纤光栅连接输出尾纤；双包层掺镱光纤置于超低温半导体制冷器中，且双包层掺镱光纤的首尾端均置于超低温半导体制冷器之外。本发明采用了全光纤结构，并将掺钕双包层光纤置于超低温半导体制冷器内，提高Nd3+由4F3/2-4I9/2跃迁的相对概率，同时采用汇聚型的光纤倍频器以及三光纤光栅组成的倍频腔体结构，实现了大功率、高品质蓝光激光的输出。
其他摘要	本发明公开了一种469nm全光纤结构大功率蓝光光纤激光器，包括半导体激光器泵浦源、第一全反射光纤光栅、第二全反射光纤光栅和第三全反射光纤光栅，第一全反射光纤光栅和第二全反射光纤光栅之间连接有双包层掺镱光纤，第二全反射光纤光栅和第三全反射光纤光栅间连接腔内倍频器，第三全反射光纤光栅连接输出尾纤；双包层掺镱光纤置于超低温半导体制冷器中，且双包层掺镱光纤的首尾端均置于超低温半导体制冷器之外。本发明采用了全光纤结构，并将掺钕双包层光纤置于超低温半导体制冷器内，提高Nd3+由4F3/2-4I9/2跃迁的相对概率，同时采用汇聚型的光纤倍频器以及三光纤光栅组成的倍频腔体结构，实现了大功率、高品质蓝光激光的输出。
申请日期	2012-06-29
专利号	CN102751649A
专利状态	失效
申请号	CN201210222433.2
公开（公告）号	CN102751649A
IPC 分类号	H01S3/067 \| H01S3/08 \| H01S3/10 \| H01S3/042
专利代理人	林兵
代理机构	西安恒泰知识产权代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91696
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西北大学
推荐引用方式 GB/T 7714	冯选旗,冯晓强,白晋涛. 469nm全光纤结构大功率蓝光光纤激光器. CN102751649A[P]. 2012-10-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102751649A.PDF（1288KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文