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光半导体激光器装置及其制造方法
Alternative Title光半导体激光器装置及其制造方法
冈田真琴; 玄永康一
2001-09-19
Rights Holder株式会社东芝
Date Available2001-09-19
Country中国
Subtype发明申请
Abstract提供一种可靠性高且生产率高的半导体激光器装置及其制造方法。该半导体激光器装置包括:基板;在其上形成的发出第一、第二波长的激光的第一、第二激光器元件部;在上述第一、第二激光器元件部的前端面、后端面上一并形成的同一厚度的前端面膜、由同一厚度的多个薄膜构成的后端面膜;上述前端面膜的厚度和上述后端面膜的多个薄膜的厚度是基于上述第一和第二波长的平均波长λ的光学长度d=(1/4+j)×λ,(j=0、1、2…)。
Other Abstract提供一种可靠性高且生产率高的半导体激光器装置及其制造方法。该半导体激光器装置包括:基板;在其上形成的发出第一、第二波长的激光的第一、第二激光器元件部;在上述第一、第二激光器元件部的前端面、后端面上一并形成的同一厚度的前端面膜、由同一厚度的多个薄膜构成的后端面膜;上述前端面膜的厚度和上述后端面膜的多个薄膜的厚度是基于上述第一和第二波长的平均波长λ的光学长度d=(1/4+j)×λ,(j=0、1、2…)。
Application Date2001-03-14
Patent NumberCN1313662A
Status失效
Application NumberCN01111374.X
Open (Notice) NumberCN1313662A
IPC Classification NumberH01S5/028 | H01S5/026 | H01S5/22 | H01S5/227 | H01S5/30 | H01S5/343 | H01S5/40
Patent Agent王以平
Agency中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91695
Collection半导体激光器专利数据库
Affiliation株式会社东芝
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GB/T 7714
冈田真琴,玄永康一. 光半导体激光器装置及其制造方法. CN1313662A[P]. 2001-09-19.
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