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光半导体激光器装置及其制造方法
其他题名光半导体激光器装置及其制造方法
冈田真琴; 玄永康一
2001-09-19
专利权人株式会社东芝
公开日期2001-09-19
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要提供一种可靠性高且生产率高的半导体激光器装置及其制造方法。该半导体激光器装置包括:基板;在其上形成的发出第一、第二波长的激光的第一、第二激光器元件部;在上述第一、第二激光器元件部的前端面、后端面上一并形成的同一厚度的前端面膜、由同一厚度的多个薄膜构成的后端面膜;上述前端面膜的厚度和上述后端面膜的多个薄膜的厚度是基于上述第一和第二波长的平均波长λ的光学长度d=(1/4+j)×λ,(j=0、1、2…)。
其他摘要提供一种可靠性高且生产率高的半导体激光器装置及其制造方法。该半导体激光器装置包括:基板;在其上形成的发出第一、第二波长的激光的第一、第二激光器元件部;在上述第一、第二激光器元件部的前端面、后端面上一并形成的同一厚度的前端面膜、由同一厚度的多个薄膜构成的后端面膜;上述前端面膜的厚度和上述后端面膜的多个薄膜的厚度是基于上述第一和第二波长的平均波长λ的光学长度d=(1/4+j)×λ,(j=0、1、2…)。
申请日期2001-03-14
专利号CN1313662A
专利状态失效
申请号CN01111374.X
公开(公告)号CN1313662A
IPC 分类号H01S5/028 | H01S5/026 | H01S5/22 | H01S5/227 | H01S5/30 | H01S5/343 | H01S5/40
专利代理人王以平
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91695
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社东芝
推荐引用方式
GB/T 7714
冈田真琴,玄永康一. 光半导体激光器装置及其制造方法. CN1313662A[P]. 2001-09-19.
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