硅基化合物半导体激光器的制作方法

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	硅基化合物半导体激光器的制作方法
其他题名	硅基化合物半导体激光器的制作方法
	于丽娟; 杜云; 赵烘泉; 黄永箴
	2011-03-30
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2011-03-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种硅基化合物半导体激光器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上形成磷化铟激光器基片；将一N型硅片与上述激光器基片键合、退火，去掉N型磷化铟衬底及P型缓冲层，形成复合片；刻蚀P型欧姆接触层、第一P型覆盖层和腐蚀停止层的两侧，形成脊形波导；在脊形波导两侧制备绝缘隔离层；在脊形波导的顶部制备P型金属电极；刻蚀距脊形波导一侧部分的绝缘隔离层、第二P型覆盖层、本证波导层、有源区本证量子阱、本证波导层和N型波导层，露出N型覆盖层，形成N电极窗口；在N电极窗口上制备N型金属电极；将N型硅片减薄；解理形成单个管芯；将管芯焊接到铜热沉上，在热沉上制备一微晶玻璃，并连线；完成硅基化合物半导体激光器的制作。
其他摘要	一种硅基化合物半导体激光器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上形成磷化铟激光器基片；将一N型硅片与上述激光器基片键合、退火，去掉N型磷化铟衬底及P型缓冲层，形成复合片；刻蚀P型欧姆接触层、第一P型覆盖层和腐蚀停止层的两侧，形成脊形波导；在脊形波导两侧制备绝缘隔离层；在脊形波导的顶部制备P型金属电极；刻蚀距脊形波导一侧部分的绝缘隔离层、第二P型覆盖层、本证波导层、有源区本证量子阱、本证波导层和N型波导层，露出N型覆盖层，形成N电极窗口；在N电极窗口上制备N型金属电极；将N型硅片减薄；解理形成单个管芯；将管芯焊接到铜热沉上，在热沉上制备一微晶玻璃，并连线；完成硅基化合物半导体激光器的制作。
申请日期	2009-08-19
专利号	CN101997270A
专利状态	失效
申请号	CN200910091403.0
公开（公告）号	CN101997270A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/02
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91656
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	于丽娟,杜云,赵烘泉,等. 硅基化合物半导体激光器的制作方法. CN101997270A[P]. 2011-03-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101997270A.PDF（453KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文