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半导体激光装置
其他题名半导体激光装置
河本聪
2006-11-22
专利权人株式会社东芝
公开日期2006-11-22
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明的半导体激光装置,包括:引线框,具有表面和背面;半导体激光元件,安装在引线框的表面上;以及外壳,粘附在引线框上;其中,在将从半导体激光元件出射的主光束的方向定义为前方的情况下,引线框具有突起部,突起部的前截面位于出射主光束的半导体激光元件的前表面的后方;其中,引线框的背面从外壳露出。
其他摘要本发明的半导体激光装置,包括:引线框,具有表面和背面;半导体激光元件,安装在引线框的表面上;以及外壳,粘附在引线框上;其中,在将从半导体激光元件出射的主光束的方向定义为前方的情况下,引线框具有突起部,突起部的前截面位于出射主光束的半导体激光元件的前表面的后方;其中,引线框的背面从外壳露出。
申请日期2003-03-28
专利号CN1866649A
专利状态失效
申请号CN200610091634
公开(公告)号CN1866649A
IPC 分类号H01S5/00 | H01S3/04 | H01S5/02 | H01S5/022 | H01S5/024 | H01S5/0683
专利代理人胡建新
代理机构永新专利商标代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91623
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社东芝
推荐引用方式
GB/T 7714
河本聪. 半导体激光装置. CN1866649A[P]. 2006-11-22.
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