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半导体激光元件
其他题名半导体激光元件
高濑祯
2009-07-15
专利权人三菱电机株式会社
公开日期2009-07-15
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明可提供“kink”级不降低而高宽比低的半导体激光元件。该元件是一种脊形结构的半导体激光元件,在一种导电类型的半导体层和具有脊部的另一种导电类型的半导体层之间设置有活性层并且在其两端部具有非增益区域的窗区域,其中,在上述窗区域的上述脊部两侧具有由光吸收材料构成的埋入层。
其他摘要本发明可提供“kink”级不降低而高宽比低的半导体激光元件。该元件是一种脊形结构的半导体激光元件,在一种导电类型的半导体层和具有脊部的另一种导电类型的半导体层之间设置有活性层并且在其两端部具有非增益区域的窗区域,其中,在上述窗区域的上述脊部两侧具有由光吸收材料构成的埋入层。
申请日期2004-06-24
专利号CN100514777C
专利状态失效
申请号CN200710096059
公开(公告)号CN100514777C
IPC 分类号H01S5/22 | H01S5/16 | H01S5/30 | H01S3/04 | H01S5/34
专利代理人王永刚
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91613
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
高濑祯. 半导体激光元件. CN100514777C[P]. 2009-07-15.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN100514777C.PDF(984KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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