半导体激光装置的设计方法、拉曼放大器的设计方法、半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置、拉曼放大器、以及光通信系统

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	半导体激光装置的设计方法、拉曼放大器的设计方法、半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置、拉曼放大器、以及光通信系统
其他题名	半导体激光装置的设计方法、拉曼放大器的设计方法、半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置、拉曼放大器、以及光通信系统
	长谷川英明; 横内则之; 泽村壮嗣; 入野聪; 吉田顺自
	2016-08-31
专利权人	古河电气工业株式会社
公开日期	2016-08-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	在半导体激光装置的设计方法中，通过控制从输出侧反射单元到第二反射单元的距离、和用包含半导体激光元件中的光的环绕时间τ、输出侧反射单元的反射率R1以及第二反射单元的反射率R2的κ＝(1/τ)×(1‑R1)×(R2/R1)1/2的式定义的向半导体激光元件的有效的返回光量κ，来使LFF周期成为20ns以下，选择该LFF周期成为20ns以下的半导体激光装置，作为出现FBG模式和FP模式的高速切换的半导体激光装，作为在相干崩溃模式下进行振荡的半导体激光装置使用。
其他摘要	在半导体激光装置的设计方法中，通过控制从输出侧反射单元到第二反射单元的距离、和用包含半导体激光元件中的光的环绕时间τ、输出侧反射单元的反射率R1以及第二反射单元的反射率R2的κ＝(1/τ)×(1‑R1)×(R2/R1)1/2的式定义的向半导体激光元件的有效的返回光量κ，来使LFF周期成为20ns以下，选择该LFF周期成为20ns以下的半导体激光装置，作为出现FBG模式和FP模式的高速切换的半导体激光装，作为在相干崩溃模式下进行振荡的半导体激光装置使用。
申请日期	2014-12-04
专利号	CN105917534A
专利状态	授权
申请号	CN201480070638.0
公开（公告）号	CN105917534A
IPC 分类号	H01S5/14 \| G02F1/35
专利代理人	刘建
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91535
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	古河电气工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	长谷川英明,横内则之,泽村壮嗣,等. 半导体激光装置的设计方法、拉曼放大器的设计方法、半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置、拉曼放大器、以及光通信系统. CN105917534A[P]. 2016-08-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105917534A.PDF（1546KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文