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可深度冷却的半导体激光器装置及其密封装置
其他题名可深度冷却的半导体激光器装置及其密封装置
曹强; 王如泉; 罗鑫宇
2011-05-11
专利权人中国科学院物理研究所
公开日期2011-05-11
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供一种半导体激光器的密封装置,包括:真空帽,由顶部和侧壁构成,真空帽顶部上具有真空接口和插头座孔,真空帽侧壁下方具有向外延伸的下边沿,下边沿的下方具有一个凹槽,凹槽中塞有密封圈,真空帽侧壁上具有向外延伸的出光管,出光管的末端为出光口;基座,由基台和基座边沿构成,其中真空帽和基座可围成真空腔。本发明可形成密封良好的真空腔,防止低温下在激光管表面结露,能够使温度降得更低,有效避免温度漂移。本发明还提供了一种利用上述密封装置密封的激光器装置。
其他摘要本发明提供一种半导体激光器的密封装置,包括:真空帽,由顶部和侧壁构成,真空帽顶部上具有真空接口和插头座孔,真空帽侧壁下方具有向外延伸的下边沿,下边沿的下方具有一个凹槽,凹槽中塞有密封圈,真空帽侧壁上具有向外延伸的出光管,出光管的末端为出光口;基座,由基台和基座边沿构成,其中真空帽和基座可围成真空腔。本发明可形成密封良好的真空腔,防止低温下在激光管表面结露,能够使温度降得更低,有效避免温度漂移。本发明还提供了一种利用上述密封装置密封的激光器装置。
申请日期2010-11-26
专利号CN102055132A
专利状态失效
申请号CN201010570383.8
公开(公告)号CN102055132A
IPC 分类号H01S5/022 | H01S5/024
专利代理人王勇
代理机构北京泛华伟业知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91530
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
曹强,王如泉,罗鑫宇. 可深度冷却的半导体激光器装置及其密封装置. CN102055132A[P]. 2011-05-11.
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CN102055132A.PDF(3136KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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