Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 具有电流限制层的半导体激光二极管及其制造方法 | |
| 其他题名 | 具有电流限制层的半导体激光二极管及其制造方法 |
| 郭准燮; 河镜虎; 成演准 | |
| 2004-01-21 | |
| 专利权人 | 三星电子株式会社 |
| 公开日期 | 2004-01-21 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种具有电流限制层的半导体激光二极管及其制造方法。该半导体激光二极管包括：衬底；第一材料层，沉积于该衬底上；有源层，沉积于该第一材料层上，并且发射激光光束；以及，第二材料层，沉积于该有源层上，并且包括由该有源层凸出的脊形部分，以及通过向该脊形部分的周边部分注入离子形成的、从而限制注入该有源层的电流的电流限制层。因此，可以制造具有低共振临界电流值的改进的半导体激光二极管，其可以移除光分布中的损失并在保持脊形部分宽度的同时减小注入该有源层中的电流的分布宽度。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种具有电流限制层的半导体激光二极管及其制造方法。该半导体激光二极管包括：衬底；第一材料层，沉积于该衬底上；有源层，沉积于该第一材料层上，并且发射激光光束；以及，第二材料层，沉积于该有源层上，并且包括由该有源层凸出的脊形部分，以及通过向该脊形部分的周边部分注入离子形成的、从而限制注入该有源层的电流的电流限制层。因此，可以制造具有低共振临界电流值的改进的半导体激光二极管，其可以移除光分布中的损失并在保持脊形部分宽度的同时减小注入该有源层中的电流的分布宽度。 |
| 申请日期 | 2003-06-30 |
| 专利号 | CN1469518A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03148449.2 |
| 公开（公告）号 | CN1469518A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S5/00 | H01S5/20 | H01S5/22 | H01S5/223 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 陶凤波 | 侯宇 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91511 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭准燮,河镜虎,成演准. 具有电流限制层的半导体激光二极管及其制造方法. CN1469518A[P]. 2004-01-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1469518A.PDF（905KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [郭准燮]的文章 |
| [河镜虎]的文章 |
| [成演准]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [郭准燮]的文章 |
| [河镜虎]的文章 |
| [成演准]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [郭准燮]的文章 |
| [河镜虎]的文章 |
| [成演准]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论