Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种GaN基紫外半导体发光二极管 | |
| 其他题名 | 一种GaN基紫外半导体发光二极管 |
| 李为军; 冯雷; 赵旭; 黄孙港; 陈超中 | |
| 2013-10-30 | |
| 专利权人 | 上海时代之光照明电器检测有限公司 |
| 公开日期 | 2013-10-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种能够增强高注入电流下发光效率的GaN基紫外半导体发光二极管。本发明由衬底、N型掺杂层、量子阱发光层、P型掺杂层和电极组成，其中量子阱发光层为InyGa1-yN-InxGa1-xN,其中0x。本发明结构简单、易操作，能在提高载流子在活性区束缚能力和量子阱中电子和空穴的浓度以及均匀分布性的同时而不影响发光波长的改变，作为高亮度、高功率器件结构在开发大功率紫外发光二极管或激光二极管器件提供新的途径，具有广泛的应用前景。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种能够增强高注入电流下发光效率的GaN基紫外半导体发光二极管。本发明由衬底、N型掺杂层、量子阱发光层、P型掺杂层和电极组成，其中量子阱发光层为InyGa1-yN-InxGa1-xN,其中0 |
| 申请日期 | 2013-07-01 |
| 专利号 | CN103378243A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201310268493.2 |
| 公开（公告）号 | CN103378243A |
| IPC 分类号 | H01L33/06 | H01L33/32 |
| 专利代理人 | 叶克英 |
| 代理机构 | 上海世贸专利代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91386 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海时代之光照明电器检测有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李为军,冯雷,赵旭,等. 一种GaN基紫外半导体发光二极管. CN103378243A[P]. 2013-10-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103378243A.PDF（770KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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