掺钕硼酸镧锶激光晶体及其制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	掺钕硼酸镧锶激光晶体及其制备方法
其他题名	掺钕硼酸镧锶激光晶体及其制备方法
	王国富; 潘建国; 林州斌; 胡祖树; 张莉珍
	2005-01-19
专利权人	中国科学院福建物质结构研究所
公开日期	2005-01-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及人工晶体领域，特别是涉及一种激光晶体掺钕硼酸镧锶(Nd3+:Sr3La(BO3) 3)及其制备方法。采用提拉法(Czochralski方法)，生长出了较大尺寸的Nd3+:Sr3La(BO3) 3晶体，其生长温度约1340℃，晶体转速10－15转/分钟，提拉速度0.5－0毫米/小时。该晶体属Pnma空间群，密度为3.5g/cm3，折射率78。光谱实验和计算表明，掺Nd浓度在3at％时，该晶体在806nm处有一强的吸收峰，半峰宽10nm，吸收截面4.67×10－20cm2，适合于采用激光二极管(LD)来泵浦；另外，其在波长1060nm有强的荧光发射峰，发射跃迁截面为86×10－19cm2，半峰宽28nm，易于产生波长为1060nm的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。
其他摘要	本发明涉及人工晶体领域，特别是涉及一种激光晶体掺钕硼酸镧锶(Nd3+:Sr3La(BO3) 3)及其制备方法。采用提拉法(Czochralski方法)，生长出了较大尺寸的Nd3+:Sr3La(BO3) 3晶体，其生长温度约1340℃，晶体转速10－15转/分钟，提拉速度0.5－0毫米/小时。该晶体属Pnma空间群，密度为3.5g/cm3，折射率78。光谱实验和计算表明，掺Nd浓度在3at％时，该晶体在806nm处有一强的吸收峰，半峰宽10nm，吸收截面4.67×10－20cm2，适合于采用激光二极管(LD)来泵浦；另外，其在波长1060nm有强的荧光发射峰，发射跃迁截面为86×10－19cm2，半峰宽28nm，易于产生波长为1060nm的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。
申请日期	2003-07-10
专利号	CN1566415A
专利状态	失效
申请号	CN03145684.7
公开（公告）号	CN1566415A
IPC 分类号	C30B15/00 \| C30B29/22
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91282
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院福建物质结构研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王国富,潘建国,林州斌,等. 掺钕硼酸镧锶激光晶体及其制备方法. CN1566415A[P]. 2005-01-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1566415A.PDF（249KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文