一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法

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	一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法
其他题名	一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法
	王俊; 胡海洋; 成卓; 樊宜冰; 马浩源; 杨泽园; 张然; 马星; 黄永清; 任晓敏
	2017-03-08
专利权人	北京邮电大学
公开日期	2017-03-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。本发明在单晶硅衬底上制作种子层、位错阻挡层和激光器材料。所述的种子层包括GaAs低温成核层和GaAs高温缓冲层；位错阻挡层包括纳米尺寸图形掩膜和GaAs侧向外延层；激光器材料包括n型欧姆接触层、n型限制层、下波导层、量子点有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。本发明通过图形衬底对穿透位错的阻挡作用，能有效地降低GaAs外延层的位错密度，提高GaAs外延层的晶体质量，进而提高量子点激光器性能和质量。本发明能够大面积、高重复性、均匀地完成材料生长和制备，更加符合产业化的需求。
其他摘要	本发明公开了一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。本发明在单晶硅衬底上制作种子层、位错阻挡层和激光器材料。所述的种子层包括GaAs低温成核层和GaAs高温缓冲层；位错阻挡层包括纳米尺寸图形掩膜和GaAs侧向外延层；激光器材料包括n型欧姆接触层、n型限制层、下波导层、量子点有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。本发明通过图形衬底对穿透位错的阻挡作用，能有效地降低GaAs外延层的位错密度，提高GaAs外延层的晶体质量，进而提高量子点激光器性能和质量。本发明能够大面积、高重复性、均匀地完成材料生长和制备，更加符合产业化的需求。
申请日期	2016-10-12
专利号	CN106480498A
专利状态	授权
申请号	CN201610888922.X
公开（公告）号	CN106480498A
IPC 分类号	C30B25/18 \| C30B25/04 \| C30B29/42 \| H01S5/343
专利代理人	姜荣丽
代理机构	北京永创新实专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91267
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京邮电大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,胡海洋,成卓,等. 一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法. CN106480498A[P]. 2017-03-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106480498A.PDF（1336KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文