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一种半导体激光器芯片残余应力分布测试方法及装置
其他题名一种半导体激光器芯片残余应力分布测试方法及装置
刘兴胜; 王警卫; 吴迪
2014-12-24
专利权人西安炬光科技股份有限公司
公开日期2014-12-24
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明设计了一种半导体激光器芯片残余应力分布测试方法及装置,该装置能够通过无损方法测试半导体激光器芯片残余应力分布,能够广泛应用于半导体激光器封装器件性能的表征,对于提高半导体激光器性能具有非常重要的现实意义。
其他摘要本发明设计了一种半导体激光器芯片残余应力分布测试方法及装置,该装置能够通过无损方法测试半导体激光器芯片残余应力分布,能够广泛应用于半导体激光器封装器件性能的表征,对于提高半导体激光器性能具有非常重要的现实意义。
申请日期2014-10-14
专利号CN104236769A
专利状态授权
申请号CN201410538202.1
公开(公告)号CN104236769A
IPC 分类号G01L1/24
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91181
专题半导体激光器专利数据库
作者单位西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
刘兴胜,王警卫,吴迪. 一种半导体激光器芯片残余应力分布测试方法及装置. CN104236769A[P]. 2014-12-24.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN104236769A.PDF(376KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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