Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种半导体激光器芯片残余应力分布测试方法及装置 | |
其他题名 | 一种半导体激光器芯片残余应力分布测试方法及装置 |
刘兴胜; 王警卫; 吴迪 | |
2014-12-24 | |
专利权人 | 西安炬光科技股份有限公司 |
公开日期 | 2014-12-24 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明设计了一种半导体激光器芯片残余应力分布测试方法及装置,该装置能够通过无损方法测试半导体激光器芯片残余应力分布,能够广泛应用于半导体激光器封装器件性能的表征,对于提高半导体激光器性能具有非常重要的现实意义。 |
其他摘要 | 本发明设计了一种半导体激光器芯片残余应力分布测试方法及装置,该装置能够通过无损方法测试半导体激光器芯片残余应力分布,能够广泛应用于半导体激光器封装器件性能的表征,对于提高半导体激光器性能具有非常重要的现实意义。 |
申请日期 | 2014-10-14 |
专利号 | CN104236769A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201410538202.1 |
公开(公告)号 | CN104236769A |
IPC 分类号 | G01L1/24 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91181 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 西安炬光科技股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘兴胜,王警卫,吴迪. 一种半导体激光器芯片残余应力分布测试方法及装置. CN104236769A[P]. 2014-12-24. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN104236769A.PDF(376KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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