用于与VSCEL或PIN阵列耦合的光纤阵列及其制造方法

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	用于与VSCEL或PIN阵列耦合的光纤阵列及其制造方法
其他题名	用于与VSCEL或PIN阵列耦合的光纤阵列及其制造方法
	江永胜; 阮景; 罗志祥; 朱志实
	2013-11-06
专利权人	武汉博昇光电股份有限公司
公开日期	2013-11-06
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种用于与VSCEL或PIN阵列耦合的光纤阵列及其制造方法，该光纤阵列包括盖片、刻槽基片和光纤微带，光纤微带包括除去了光纤图层的裸露光纤微带部分，刻槽基片上形成有用于放置裸露光纤微带部分的V形刻槽，盖片压在裸露光纤微带部分槽上，刻槽基片、盖片和裸露光纤微带部分通过粘合剂连接固定，盖片的长度小于V形刻槽的长度，裸露光纤微带部分的端面为倾斜角为45度的光学平面，且光学平面朝向刻槽基片。该光纤阵列通过厚度可定制的盖片来控制裸露光纤微带部分的45°光学平面与VCSEL阵列或者PIN阵列的耦合距离，实现高效率的耦合。制造该光纤阵列方法简单，易于实现，且成本低廉。
其他摘要	本发明涉及一种用于与VSCEL或PIN阵列耦合的光纤阵列及其制造方法，该光纤阵列包括盖片、刻槽基片和光纤微带，光纤微带包括除去了光纤图层的裸露光纤微带部分，刻槽基片上形成有用于放置裸露光纤微带部分的V形刻槽，盖片压在裸露光纤微带部分槽上，刻槽基片、盖片和裸露光纤微带部分通过粘合剂连接固定，盖片的长度小于V形刻槽的长度，裸露光纤微带部分的端面为倾斜角为45度的光学平面，且光学平面朝向刻槽基片。该光纤阵列通过厚度可定制的盖片来控制裸露光纤微带部分的45°光学平面与VCSEL阵列或者PIN阵列的耦合距离，实现高效率的耦合。制造该光纤阵列方法简单，易于实现，且成本低廉。
申请日期	2013-07-19
专利号	CN103383482A
专利状态	授权
申请号	CN201310306602.5
公开（公告）号	CN103383482A
IPC 分类号	G02B6/42
专利代理人	杨立
代理机构	北京轻创知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91150
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉博昇光电股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	江永胜,阮景,罗志祥,等. 用于与VSCEL或PIN阵列耦合的光纤阵列及其制造方法. CN103383482A[P]. 2013-11-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103383482A.PDF（698KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文