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激光二极管装置
其他题名激光二极管装置
吴明倬; 林璟晖; 曾正宗; 严宪政; 欧思村
2011-04-20
专利权人华信光电科技股份有限公司
公开日期2011-04-20
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要一种激光二极管装置,包括:一基座;一光检知器次固定座,是设在该基座上,用以检测激光功率并承载激光二极管晶粒;一自动功率控制电路,是将自动功率控制电路设制成电路板或IC结构,以控制激光功率;其中该自动功率控制电路,是直接设置于该基座,使其与该激光二极管晶粒置于同一封装结构内,并借由打线与预定的导电接面、激光二极管晶粒及光检知器电性连接,据以组成一内建APC电路的激光二极管装置。本实用新型是将自动功率控制电路,直接设置于激光二极管晶粒同一封装结构内,省去外加控制电路的麻烦,并达到体积微小,使用方便及成本低廉的功效。
其他摘要一种激光二极管装置,包括:一基座;一光检知器次固定座,是设在该基座上,用以检测激光功率并承载激光二极管晶粒;一自动功率控制电路,是将自动功率控制电路设制成电路板或IC结构,以控制激光功率;其中该自动功率控制电路,是直接设置于该基座,使其与该激光二极管晶粒置于同一封装结构内,并借由打线与预定的导电接面、激光二极管晶粒及光检知器电性连接,据以组成一内建APC电路的激光二极管装置。本实用新型是将自动功率控制电路,直接设置于激光二极管晶粒同一封装结构内,省去外加控制电路的麻烦,并达到体积微小,使用方便及成本低廉的功效。
申请日期2010-02-12
专利号CN201804860U
专利状态授权
申请号CN201020129859.X
公开(公告)号CN201804860U
IPC 分类号H01L25/00 | H01L23/13 | H01L23/495
专利代理人胡畹华
代理机构天津三元专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91088
专题半导体激光器专利数据库
作者单位华信光电科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
吴明倬,林璟晖,曾正宗,等. 激光二极管装置. CN201804860U[P]. 2011-04-20.
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