Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种P型GaAs基激光二极管的制造方法 | |
| 其他题名 | 一种P型GaAs基激光二极管的制造方法 |
| 周明; 申云; 顾理建; 张兴杰 | |
| 2014-04-23 | |
| 专利权人 | 江苏友润微电子有限公司 |
| 公开日期 | 2014-04-23 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种P型GaAs基激光二极管的制造方法，其包括形成GaAs衬底以及依次沉积p型包覆层、p型光导层、有源层、n型阻挡层、n型光导层和n型包覆层。其中形成GaAs衬底的方法包括将GaAs晶片放入高温高压装置中，对GaAs晶片加热的同时加压，加热温度为860～890℃，加压压力为5.0～5.5GPa，保持10～15分钟；停止加热加压，使GaAs晶片恢复至常温常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的性能和寿命。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种P型GaAs基激光二极管的制造方法，其包括形成GaAs衬底以及依次沉积p型包覆层、p型光导层、有源层、n型阻挡层、n型光导层和n型包覆层。其中形成GaAs衬底的方法包括将GaAs晶片放入高温高压装置中，对GaAs晶片加热的同时加压，加热温度为860～890℃，加压压力为5.0～5.5GPa，保持10～15分钟；停止加热加压，使GaAs晶片恢复至常温常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的性能和寿命。 |
| 申请日期 | 2014-01-26 |
| 专利号 | CN103746050A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201410039049.8 |
| 公开（公告）号 | CN103746050A |
| IPC 分类号 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 刘洪勋 |
| 代理机构 | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91059 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 江苏友润微电子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周明,申云,顾理建,等. 一种P型GaAs基激光二极管的制造方法. CN103746050A[P]. 2014-04-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103746050A.PDF（323KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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