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一种激光横模模式可调控被动调Q微片激光器
其他题名一种激光横模模式可调控被动调Q微片激光器
董俊; 张明明
2017-02-22
专利权人厦门大学
公开日期2017-02-22
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种激光横模模式可调控被动调Q微片激光器,涉及激光器。设有偏心高斯泵浦源和激光器谐振系统,偏心高斯泵浦源依次设有808nm光纤耦合激光二极管、两个透镜;808nm光纤耦合激光二极管和第二透镜位于同一光轴上;激光器谐振系统设有激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜;激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜固定在同一夹具中。
其他摘要一种激光横模模式可调控被动调Q微片激光器,涉及激光器。设有偏心高斯泵浦源和激光器谐振系统,偏心高斯泵浦源依次设有808nm光纤耦合激光二极管、两个透镜;808nm光纤耦合激光二极管和第二透镜位于同一光轴上;激光器谐振系统设有激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜;激光增益介质Nd:YAG晶体、调Q晶体、镀在激光增益介质Nd:YAG晶体表面的增透膜与高反膜和镀在调Q晶体表面的对1064nm波长的高反膜固定在同一夹具中。
申请日期2016-11-18
专利号CN106451058A
专利状态申请中
申请号CN201611027876.0
公开(公告)号CN106451058A
IPC 分类号H01S3/11 | H01S3/16
专利代理人马应森
代理机构厦门南强之路专利事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91024
专题半导体激光器专利数据库
作者单位厦门大学
推荐引用方式
GB/T 7714
董俊,张明明. 一种激光横模模式可调控被动调Q微片激光器. CN106451058A[P]. 2017-02-22.
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CN106451058A.PDF(139KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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