一种铜基手性配位聚合物的光诱导对映选择性合成的方法

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	一种铜基手性配位聚合物的光诱导对映选择性合成的方法
其他题名	一种铜基手性配位聚合物的光诱导对映选择性合成的方法
	吴舒婷; 蔡振文; 叶巧燕; 翁陈浩; 黄细河; 胡晓琳; 庄乃锋
	2014-09-24
专利权人	福州大学
公开日期	2014-09-24
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种铜基手性配位聚合物的光诱导对映选择性合成的方法，具体为：先合成铜基手性配位聚合物所需的反应液，然后将铜基手性配位聚合物的反应液置于光辐照装置中，光辐照3-5天，实现铜基手性配位聚合物的对映选择性合成。光辐照装置包括半导体激光器、偏振片、四分之一波片；通过调整偏振片与四分之一波片之间的夹角，能将出射光调整为左旋或右旋圆偏振光。圆偏振光辐照实验能有效的使本发明所尝试的手性配位聚合物结晶产物去消旋化，并实现对映选择性。本发明通过光诱导实现了手性配位聚合物的对映选择性合成。该方法具有良好的重现性，实验装置简单，可多次重复利用，合成过程清洁无污染。
其他摘要	本发明提供了一种铜基手性配位聚合物的光诱导对映选择性合成的方法，具体为：先合成铜基手性配位聚合物所需的反应液，然后将铜基手性配位聚合物的反应液置于光辐照装置中，光辐照3-5天，实现铜基手性配位聚合物的对映选择性合成。光辐照装置包括半导体激光器、偏振片、四分之一波片；通过调整偏振片与四分之一波片之间的夹角，能将出射光调整为左旋或右旋圆偏振光。圆偏振光辐照实验能有效的使本发明所尝试的手性配位聚合物结晶产物去消旋化，并实现对映选择性。本发明通过光诱导实现了手性配位聚合物的对映选择性合成。该方法具有良好的重现性，实验装置简单，可多次重复利用，合成过程清洁无污染。
申请日期	2014-06-24
专利号	CN104059091A
专利状态	授权
申请号	CN201410283879.5
公开（公告）号	CN104059091A
IPC 分类号	C07F1/08
专利代理人	蔡学俊
代理机构	福州元创专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91006
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	福州大学
推荐引用方式 GB/T 7714	吴舒婷,蔡振文,叶巧燕,等. 一种铜基手性配位聚合物的光诱导对映选择性合成的方法. CN104059091A[P]. 2014-09-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104059091A.PDF（1616KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文