Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器元件及其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器元件及其制造方法 |
| 本乡一泰; 福元康司 | |
| 2013-01-30 | |
| 专利权人 | 索尼公司 |
| 公开日期 | 2013-01-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 在此公开一种半导体激光器元件，其包括：位于衬底上的激光器结构部，该激光器结构部构造成包括顺次具有n型半导体层、活性层和p型半导体层的半导体层叠结构、和位于所述p型半导体层的顶部上的p侧电极；设置在所述半导体层叠结构的两对立横向侧的一对谐振器边缘；和设置在所述激光器结构部的顶侧的、包括所述谐振器边缘的位置的区域中的、并由具有比周围气体更高热传导率的非金属材料制成的膜。 |
| 其他摘要 | 在此公开一种半导体激光器元件，其包括：位于衬底上的激光器结构部，该激光器结构部构造成包括顺次具有n型半导体层、活性层和p型半导体层的半导体层叠结构、和位于所述p型半导体层的顶部上的p侧电极；设置在所述半导体层叠结构的两对立横向侧的一对谐振器边缘；和设置在所述激光器结构部的顶侧的、包括所述谐振器边缘的位置的区域中的、并由具有比周围气体更高热传导率的非金属材料制成的膜。 |
| 申请日期 | 2012-07-20 |
| 专利号 | CN102904156A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201210252802.2 |
| 公开（公告）号 | CN102904156A |
| IPC 分类号 | H01S5/024 |
| 专利代理人 | 吴艳 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90963 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 本乡一泰,福元康司. 半导体激光器元件及其制造方法. CN102904156A[P]. 2013-01-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102904156A.PDF（2410KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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