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多波长半导体激光器装置
其他题名多波长半导体激光器装置
大仓裕二
2010-12-22
专利权人三菱电机株式会社
公开日期2010-12-22
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明涉及多波长半导体激光器装置。在将波长不同的激光二极管芯片横向排列来构成多波长半导体激光器装置的情况下,各激光二极管芯片的发光点间的距离变长,光学设计困难。此外,在将各激光二极管芯片纵向层叠的情况下,组装程序复杂、制造成本变高。本发明在1个热沉上安装波长不同的多个激光器芯片,构成多波长半导体激光器装置。能够提供光学设计容易、散热特性优越、并且容易制造的多波长半导体激光器装置。
其他摘要本发明涉及多波长半导体激光器装置。在将波长不同的激光二极管芯片横向排列来构成多波长半导体激光器装置的情况下,各激光二极管芯片的发光点间的距离变长,光学设计困难。此外,在将各激光二极管芯片纵向层叠的情况下,组装程序复杂、制造成本变高。本发明在1个热沉上安装波长不同的多个激光器芯片,构成多波长半导体激光器装置。能够提供光学设计容易、散热特性优越、并且容易制造的多波长半导体激光器装置。
申请日期2010-02-25
专利号CN101924323A
专利状态授权
申请号CN201010125919
公开(公告)号CN101924323A
IPC 分类号H01S5/022 | H01S5/024 | H01S5/40
专利代理人闫小龙 | 李家麟
代理机构中国专利代理(香港)有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90900
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
大仓裕二. 多波长半导体激光器装置. CN101924323A[P]. 2010-12-22.
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