Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种适用于倒焊装的半导体激光器芯片结构 | |
| 其他题名 | 一种适用于倒焊装的半导体激光器芯片结构 |
| 李特; 李再金; 郝二娟; 王钰智; 芦鹏; 乔忠良; 邹永刚; 赵英杰; 刘国军; 马晓辉 | |
| 2013-01-16 | |
| 专利权人 | 长春理工大学 |
| 公开日期 | 2013-01-16 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及半导体激光器技术领域，提出了一种适用于倒焊装的半导体激光器芯片结构，主要包括：衬底层1，缓冲层2，N型包覆层3，下波导层4，有源区5，上波导层6，P型包覆层7，过渡层8，P型接触层9，脊型台面10，电流限制沟道11，分离沟道12。本发明能够提高半导体激光器管芯与焊料以及热沉的接触面积，提高管芯的抗压能力和散热能力，避免由于焊料爬升引起的短路现象。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及半导体激光器技术领域，提出了一种适用于倒焊装的半导体激光器芯片结构，主要包括：衬底层1，缓冲层2，N型包覆层3，下波导层4，有源区5，上波导层6，P型包覆层7，过渡层8，P型接触层9，脊型台面10，电流限制沟道11，分离沟道12。本发明能够提高半导体激光器管芯与焊料以及热沉的接触面积，提高管芯的抗压能力和散热能力，避免由于焊料爬升引起的短路现象。 |
| 申请日期 | 2012-10-11 |
| 专利号 | CN102882124A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201210382302.0 |
| 公开（公告）号 | CN102882124A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/02 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90863 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李特,李再金,郝二娟,等. 一种适用于倒焊装的半导体激光器芯片结构. CN102882124A[P]. 2013-01-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102882124A.PDF（246KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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