Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种非对称波导1060nm半导体激光器结构 | |
| 其他题名 | 一种非对称波导1060nm半导体激光器结构 |
| 李特; 李再金; 芦鹏; 张月; 郝二娟; 乔忠良; 李林; 邹永刚; 赵英杰; 曲轶; 刘国军; 马晓辉 | |
| 2013-02-27 | |
| 专利权人 | 长春理工大学 |
| 公开日期 | 2013-02-27 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明属于半导体光电子学技术领域，涉及一种非对称波导1060nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型GaAs材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，在衬底上，为N型GaAs材料；一N型下限制层，在缓冲层上，为N型InGaAsP材料；一下波导层，在下限制层上，为N型InGaAsP材料；一量子阱层，该量子阱材料为InGaAs单量子阱，制作在下波导层上；一上波导层，为P型AlGaAs材料，该上波导层在量子阱层上；一P型上限制层，在上波导层上，为P型AlGaAs材料；一过渡层，在P型上限制层上，为P型GaAs材料；一电极接触层，为P型GaAs材料，在过渡层上。 |
| 其他摘要 | 本发明属于半导体光电子学技术领域，涉及一种非对称波导1060nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型GaAs材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，在衬底上，为N型GaAs材料；一N型下限制层，在缓冲层上，为N型InGaAsP材料；一下波导层，在下限制层上，为N型InGaAsP材料；一量子阱层，该量子阱材料为InGaAs单量子阱，制作在下波导层上；一上波导层，为P型AlGaAs材料，该上波导层在量子阱层上；一P型上限制层，在上波导层上，为P型AlGaAs材料；一过渡层，在P型上限制层上，为P型GaAs材料；一电极接触层，为P型GaAs材料，在过渡层上。 |
| 申请日期 | 2012-10-10 |
| 专利号 | CN102946051A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201210380805.4 |
| 公开（公告）号 | CN102946051A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90845 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李特,李再金,芦鹏,等. 一种非对称波导1060nm半导体激光器结构. CN102946051A[P]. 2013-02-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102946051A.PDF（335KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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