Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 太赫兹量子级联半导体激光器材料及其生长方法 | |
| 其他题名 | 太赫兹量子级联半导体激光器材料及其生长方法 |
| 李路; 刘峰奇; 刘俊岐; 邵烨; 王占国 | |
| 2008-02-20 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2008-02-20 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种太赫兹量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：取一半绝缘砷化镓衬底；步骤2：利用分子束外延技术在半绝缘砷化镓衬底上生长N型砷化镓下欧姆接触层，用来制作下欧姆电极；步骤3：在下欧姆接触层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长N型砷化镓上欧姆接触层，用来制作下欧姆电极，完成太赫兹量子级联半导体激光器材料的生长。 |
| 其他摘要 | 一种太赫兹量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：取一半绝缘砷化镓衬底；步骤2：利用分子束外延技术在半绝缘砷化镓衬底上生长N型砷化镓下欧姆接触层，用来制作下欧姆电极；步骤3：在下欧姆接触层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长N型砷化镓上欧姆接触层，用来制作下欧姆电极，完成太赫兹量子级联半导体激光器材料的生长。 |
| 申请日期 | 2006-08-16 |
| 专利号 | CN101127432A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200610112407.9 |
| 公开（公告）号 | CN101127432A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/34 | H01S5/343 | H01L21/20 | C23C16/00 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90838 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李路,刘峰奇,刘俊岐,等. 太赫兹量子级联半导体激光器材料及其生长方法. CN101127432A[P]. 2008-02-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101127432A.PDF（979KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [李路]的文章 |
| [刘峰奇]的文章 |
| [刘俊岐]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [李路]的文章 |
| [刘峰奇]的文章 |
| [刘俊岐]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [李路]的文章 |
| [刘峰奇]的文章 |
| [刘俊岐]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论