基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器

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	基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器
其他题名	基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器
	施政; 沈湘菲; 王永进; 蒋元; 袁佳磊; 张锋华; 张帅; 秦川; 蒋燕
	2017-11-28
专利权人	南京邮电大学
公开日期	2017-11-28
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于信息材料与器件领域，提供一种基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器及其制作方法。所述激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p‑n结量子阱器件，设置在所述p‑n结量子阱器件上的SiO2绝缘层，设置在所述SiO2绝缘层上的p‑电极的引线电极区和n‑电极的引线电极区及分布式布拉格反射镜。本发明利用FIB技术，在InGaN波导上加工配对的分布式布拉格反射镜结构，形成微腔结构，获得基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器，并结合AlN/AlGaN应力调控缓冲层技术，实现电泵浦硅衬底GaN激光器；可用于可见光通信、显示及传感领域。
其他摘要	本发明属于信息材料与器件领域，提供一种基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器及其制作方法。所述激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p‑n结量子阱器件，设置在所述p‑n结量子阱器件上的SiO2绝缘层，设置在所述SiO2绝缘层上的p‑电极的引线电极区和n‑电极的引线电极区及分布式布拉格反射镜。本发明利用FIB技术，在InGaN波导上加工配对的分布式布拉格反射镜结构，形成微腔结构，获得基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器，并结合AlN/AlGaN应力调控缓冲层技术，实现电泵浦硅衬底GaN激光器；可用于可见光通信、显示及传感领域。
申请日期	2017-06-29
专利号	CN107404067A
专利状态	申请中
申请号	CN201710518114.9
公开（公告）号	CN107404067A
IPC 分类号	H01S5/20
专利代理人	陈思
代理机构	南京知识律师事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90802
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京邮电大学
推荐引用方式 GB/T 7714	施政,沈湘菲,王永进,等. 基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器. CN107404067A[P]. 2017-11-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107404067A.PDF（288KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文