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基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器
Alternative Title基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器
施政; 沈湘菲; 王永进; 蒋元; 袁佳磊; 张锋华; 张帅; 秦川; 蒋燕
2017-11-28
Rights Holder南京邮电大学
Date Available2017-11-28
Country中国
Subtype发明申请
Abstract本发明属于信息材料与器件领域,提供一种基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器及其制作方法。所述激光器以硅基氮化物晶片为载体,包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p‑n结量子阱器件,设置在所述p‑n结量子阱器件上的SiO2绝缘层,设置在所述SiO2绝缘层上的p‑电极的引线电极区和n‑电极的引线电极区及分布式布拉格反射镜。本发明利用FIB技术,在InGaN波导上加工配对的分布式布拉格反射镜结构,形成微腔结构,获得基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器,并结合AlN/AlGaN应力调控缓冲层技术,实现电泵浦硅衬底GaN激光器;可用于可见光通信、显示及传感领域。
Other Abstract本发明属于信息材料与器件领域,提供一种基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器及其制作方法。所述激光器以硅基氮化物晶片为载体,包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p‑n结量子阱器件,设置在所述p‑n结量子阱器件上的SiO2绝缘层,设置在所述SiO2绝缘层上的p‑电极的引线电极区和n‑电极的引线电极区及分布式布拉格反射镜。本发明利用FIB技术,在InGaN波导上加工配对的分布式布拉格反射镜结构,形成微腔结构,获得基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器,并结合AlN/AlGaN应力调控缓冲层技术,实现电泵浦硅衬底GaN激光器;可用于可见光通信、显示及传感领域。
Application Date2017-06-29
Patent NumberCN107404067A
Status申请中
Application NumberCN201710518114.9
Open (Notice) NumberCN107404067A
IPC Classification NumberH01S5/20
Patent Agent陈思
Agency南京知识律师事务所
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90802
Collection半导体激光器专利数据库
Affiliation南京邮电大学
Recommended Citation
GB/T 7714
施政,沈湘菲,王永进,等. 基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器. CN107404067A[P]. 2017-11-28.
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CN107404067A.PDF(288KB)专利 开放获取CC BY-NC-SAApplication Full Text
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