Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体衬底、半导体器件、发光二极管及其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体衬底、半导体器件、发光二极管及其制造方法 |
| 米原隆夫; 关口芳信 | |
| 2006-06-07 | |
| 专利权人 | 佳能株式会社 |
| 公开日期 | 2006-06-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 通过执行以下步骤获得包括砷化镓层的半导体衬底：制备具有由锗构成的分离层和在分离层上的砷化镓层的第一衬底的步骤；通过连接第一衬底和第二衬底而制备键合衬底的步骤；和在一部分分离层中分离键合衬底的步骤。 |
| 其他摘要 | 通过执行以下步骤获得包括砷化镓层的半导体衬底：制备具有由锗构成的分离层和在分离层上的砷化镓层的第一衬底的步骤；通过连接第一衬底和第二衬底而制备键合衬底的步骤；和在一部分分离层中分离键合衬底的步骤。 |
| 申请日期 | 2004-04-30 |
| 专利号 | CN1784515A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200480012145.8 |
| 公开（公告）号 | CN1784515A |
| IPC 分类号 | C30B29/42 | C30B25/22 | H01L21/20 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 张浩 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90793 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 佳能株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 米原隆夫,关口芳信. 半导体衬底、半导体器件、发光二极管及其制造方法. CN1784515A[P]. 2006-06-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1784515A.PDF（1276KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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