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一种硅基纳米激光器制备方法
其他题名一种硅基纳米激光器制备方法
王兴军; 王胜铭; 许超; 叶蕊; 张哲炜; 周治平
2015-02-18
专利权人北京大学
公开日期2015-02-18
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明涉及光通信技术中发光光源技术领域,尤其涉及一种采用铒镱、铒钇或铒镱钇硅酸盐无机化合物纳米线材料制备低阈值硅基纳米激光器的方法。该制备包括:原料制备;放入煅烧炉,并通入气体;煅烧生长纳米线;制备纳米线酒精溶液,并得到硅基纳米激光器。本文提供一种采用单晶铒镱、铒钇或铒镱钇硅酸盐化合物纳米线作为波导材料,制备硅基纳米激光器的方法。采用本发明提供的制备方法制备的硅基纳米激光器具有较高波导增益,以及较低的泵浦阈值。
其他摘要本发明涉及光通信技术中发光光源技术领域,尤其涉及一种采用铒镱、铒钇或铒镱钇硅酸盐无机化合物纳米线材料制备低阈值硅基纳米激光器的方法。该制备包括:原料制备;放入煅烧炉,并通入气体;煅烧生长纳米线;制备纳米线酒精溶液,并得到硅基纳米激光器。本文提供一种采用单晶铒镱、铒钇或铒镱钇硅酸盐化合物纳米线作为波导材料,制备硅基纳米激光器的方法。采用本发明提供的制备方法制备的硅基纳米激光器具有较高波导增益,以及较低的泵浦阈值。
申请日期2014-10-13
专利号CN104362512A
专利状态授权
申请号CN201410539108.8
公开(公告)号CN104362512A
IPC 分类号H01S5/20 | B82Y20/00
专利代理人薛晨光
代理机构北京路浩知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90787
专题半导体激光器专利数据库
作者单位北京大学
推荐引用方式
GB/T 7714
王兴军,王胜铭,许超,等. 一种硅基纳米激光器制备方法. CN104362512A[P]. 2015-02-18.
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CN104362512A.PDF(618KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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