基于重构-等效啁啾的单片集成注入锁定DFB激光器及阵列及其制造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	基于重构-等效啁啾的单片集成注入锁定DFB激光器及阵列及其制造方法
其他题名	基于重构-等效啁啾的单片集成注入锁定DFB激光器及阵列及其制造方法
	张云山; 陈向飞; 郑吉林; 郑俊守; 施跃春; 陆骏; 唐松
	2014-10-29
专利权人	南京大学
公开日期	2014-10-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	基于重构-等效啁啾技术的单片集成注入锁定DFB激光器，主激光器和从激光器制作在同一衬底上或集成在同一芯片上，主激光器和从激光器共用同一波导结构；主激光器和从激光器之间有电隔离区，保证主激光器和从激光器能够单独运转；主激光器和从激光器具有相同的材料外延结构，包括：n型衬底、n型缓冲层、波导层、应变多量子阱层、光栅材料层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层、绝缘层和正负电极；主、从激光器均为DFB激光器，主、从激光器的光栅均是使用重构-等效啁啾技术设计的取样光栅，利用主、从激光器中至少一个激光器的激射波长，然后通过调节主、从激光器的直流偏执电流对主、从激光器的波长进行微调。
其他摘要	基于重构-等效啁啾技术的单片集成注入锁定DFB激光器，主激光器和从激光器制作在同一衬底上或集成在同一芯片上，主激光器和从激光器共用同一波导结构；主激光器和从激光器之间有电隔离区，保证主激光器和从激光器能够单独运转；主激光器和从激光器具有相同的材料外延结构，包括：n型衬底、n型缓冲层、波导层、应变多量子阱层、光栅材料层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层、绝缘层和正负电极；主、从激光器均为DFB激光器，主、从激光器的光栅均是使用重构-等效啁啾技术设计的取样光栅，利用主、从激光器中至少一个激光器的激射波长，然后通过调节主、从激光器的直流偏执电流对主、从激光器的波长进行微调。
申请日期	2014-05-09
专利号	CN104124611A
专利状态	授权
申请号	CN201410196125.6
公开（公告）号	CN104124611A
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/12
专利代理人	陈建和
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90774
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张云山,陈向飞,郑吉林,等. 基于重构-等效啁啾的单片集成注入锁定DFB激光器及阵列及其制造方法. CN104124611A[P]. 2014-10-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104124611A.PDF（1821KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文